QPD1004SR

製品属性

属性値

メーカー：

カーボ

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

HEMT

テクノロジー：

GaN SiC

利得：

20.8 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

50 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

145 V

Id-連続ドレイン電流：

3.6 A

出力電力：

40 W

最大ドレインゲート電圧：

55 V

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 85 C

Pd-消費電力：

27.6 W

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN-8

包装：

リール

動作周波数：

30 MHz to 1200 MHz

シリーズ：

QPD1004

ブランド：

カーボ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

-

開発キット：

QPD1004EVB1

感湿性：

はい

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

100

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

QPD1004

Tags

QPD100, QPD10, QPD1, QPD