MD7IC2012GNR1

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

70 mA

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

利得：

31.5 dB

出力電力：

1.3 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-270-WB-14

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

2110 MHz to 2170 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

感湿性：

はい

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

パーツ番号エイリアス：

935317892528

単位重量：

0.056833 oz

Tags

MD7IC20, MD7IC2, MD7I, MD7