BSO612CV

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

120 mOhms, 300 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.75 mm

長さ：

4.9 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

タイプ：

SIPMOS小信号トランジスタ

幅：

3.9 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4 S / 2 S

立ち下がり時間：

30 ns, 95 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

35 ns, 60 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

25 ns, 145 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns, 15 ns

単位重量：

0.019048 oz

Tags

BSO612, BSO61, BSO6, BSO