VND7N04-E

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

42 V

Id-連続ドレイン電流：

7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

140 mOhms

Pd-消費電力：

60 W

資格：

AEC-Q101

包装：

チューブ

シリーズ：

VND7N04

タイプ：

パワーMOSFET

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

5 S

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.139332 oz

Tags

VND7N04, VND7N0, VND7N, VND7, VND