DMN2013UFDE-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

U-DFN2020-E-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

10.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

8.4 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

25.8 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

660 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

DMN2013

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

20.8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

24.5 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

66.4 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9.9 ns

単位重量：

0.000238 oz

Tags

DMN201, DMN20, DMN2, DMN