IXTY4N65X2

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

850 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

8.3 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

80 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

シリーズ：

X2-Class

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

2.5 S

立ち下がり時間：

25 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

28 ns

ファクトリーパックの数量：

70

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

57 ns

典型的なターンオン遅延時間：

22 ns

単位重量：

0.081130 oz

Tags

IXTY4N65, IXTY4N, IXTY4, IXTY, IXT