UMZ7NTR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TUMT-6

トランジスタの極性：

NPN、PNP

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

12 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

15 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

90 mV, - 100 mV

最大DCコレクタ電流：

0.5 A

ゲイン帯域幅積fT：

320 MHz, 260 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

UMZ7N

DC電流ゲインhFEMax：

680

高さ：

0.9 mm

長さ：

2 mm

包装：

リール

幅：

1.25 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

500 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

270

Pd-消費電力：

150 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

UMZ7N

Tags

UMZ7NT, UMZ7N, UMZ7, UMZ