C2M0080120D

製品属性

属性値

メーカー：

Cree、Inc。

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

SiC

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1.2 kV

Id-連続ドレイン電流：

31.6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

80 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V, - 5 V

Qg-ゲートチャージ：

94 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

208 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

21.1 mm

長さ：

16.13 mm

製品：

パワーMOSFET

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

シリコンカーバイドパワーMOSFET

幅：

5.21 mm

ブランド：

Wolfspeed / Cree

フォワード相互コンダクタンス-最小：

3.9 S

立ち下がり時間：

21 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

34 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

23.2 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns

単位重量：

1.340411 oz

Tags

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