SISH106DN-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerPAK1212-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

19.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6.2 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

600 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

27 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3.8 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET、PowerPAK

包装：

リール

シリーズ：

SIS

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

105 S

立ち下がり時間：

12 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

50 ns

典型的なターンオン遅延時間：

25 ns

Tags

SISH10, SISH1, SISH, SIS