MUN5213DW1T3G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

NPN

一般的な入力抵抗：

47 kOhms

典型的な抵抗比：

1

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

80

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

Pd-消費電力：

187 mW, 256 mW

シリーズ：

MUN5213DW1

包装：

リール

コレクター-ベース電圧VCBO：

50 V

DC電流ゲインhFEMax：

140

高さ：

0.95 mm

長さ：

2 mm

タイプ：

デュアルバイアス抵抗トランジスタ

幅：

1.25 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000212 oz

Tags

MUN5213DW1T, MUN5213D, MUN5213, MUN521, MUN52, MUN5, MUN