FDN8601

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SSOT-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

2.7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

85.4 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

3 nC

Pd-消費電力：

1.5 W

構成：

独身

商標名：

PowerTrench

包装：

リール

高さ：

1.12 mm

長さ：

2.9 mm

シリーズ：

FDN8601

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

1.4 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

8 S

立ち下がり時間：

3.4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1.3 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.001058 oz

Tags

FDN860, FDN8, FDN