L6491DTR

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

ゲートドライバー

製品：

IGBT、MOSFETゲートドライバ

タイプ：

ハイサイド、ローサイド

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-14

ドライバーの数：

2 Driver

出力数：

1 Output

出力電流：

4 A

立ち上がり時間：

15 ns

立ち下がり時間：

15 ns

供給電圧-最小：

10 V

供給電圧-最大：

20 V

動作供給電流：

-

Pd-消費電力：

1 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 125 C

シリーズ：

L6491

包装：

リール

特徴：

統合されたブートストラップダイオード、調整可能なデッドタイム、インターロック機能、障害保護用のコンパレータ

出力電圧：

580 V

テクノロジー：

Si

ブランド：

STMicroelectronics

オフ時間-最大：

120 ns

シャットダウン：

シャットダウン

開発キット：

-

最大ターンオフ遅延時間：

120 ns

最大ターンオン遅延時間：

120 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

ゲートドライバー

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

175 Ohms

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

PMIC-パワーマネジメントIC

Tags

L6491, L649, L64