KSB1151YS

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-126-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 0.14 V

最大DCコレクタ電流：

5 A

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

KSB1151

DC電流ゲインhFEMax：

400

高さ：

1.5 mm

長さ：

8 mm

包装：

バルク

幅：

3.25 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

Pd-消費電力：

1300 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.026843 oz

Tags

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