FQPF10N60C

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

9.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

730 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

50 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

16.3 mm

長さ：

10.67 mm

シリーズ：

FQPF10N60C

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

4.7 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

立ち下がり時間：

77 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

69 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

144 ns

典型的なターンオン遅延時間：

23 ns

パーツ番号エイリアス：

FQPF10N60C_NL

単位重量：

0.080072 oz

Tags

FQPF10N60C, FQPF10N60, FQPF10N6, FQPF10, FQPF1, FQPF, FQP