BUK9K52-60E,115

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

LFPAK56D-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

16 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

47.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.7 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

15 V

Qg-ゲートチャージ：

5.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

32 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

Nexperia

立ち下がり時間：

9 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10.1 ns

ファクトリーパックの数量：

1500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

10.7 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6.2 ns

Tags

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