HP8KA1TB

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

HSOP-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

14 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

7 mOhms, 7 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

24 nC, 24 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

5.8 mm

製品：

MOSFET

トランジスタタイプ：

2 N-channel

タイプ：

パワーMOSFET

幅：

5 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

14 S, 14 S

立ち下がり時間：

40 ns, 40 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

30 ns, 30 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

85 ns, 85 ns

典型的なターンオン遅延時間：

25 ns, 25 ns

パーツ番号エイリアス：

HP8KA1

単位重量：

0.002490 oz

Tags

HP8KA, HP8K, HP8