IRF8301MTRPBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DirectFET-MT

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

192 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.9 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.7 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

51 nC

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.8 W

構成：

独身

商標名：

DirectFET

包装：

リール

高さ：

0.7 mm

長さ：

6.35 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5.05 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

150 S

立ち下がり時間：

17 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

30 ns

ファクトリーパックの数量：

4800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

25 ns

典型的なターンオン遅延時間：

20 ns

パーツ番号エイリアス：

SP001555752

Tags

IRF830, IRF83, IRF8, IRF