IXTP01N100D

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220AB-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1 kV

Id-連続ドレイン電流：

400 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

80 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

5.8 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

25 W

構成：

独身

チャネルモード：

枯渇

包装：

チューブ

高さ：

9.15 mm

長さ：

10.66 mm

シリーズ：

IXTP01N100

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.83 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

100 mS

立ち下がり時間：

64 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

34 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7 ns

単位重量：

0.081130 oz

Tags

IXTP0, IXTP, IXT