TK25E60X,S1X

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

25 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

105 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

40 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

180 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

DTMOSIV

包装：

チューブ

高さ：

15.1 mm

長さ：

10.16 mm

シリーズ：

TK25E60X

幅：

4.45 mm

ブランド：

東芝

立ち下がり時間：

4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

90 ns

典型的なターンオン遅延時間：

45 ns

単位重量：

0.211644 oz

Tags

TK25E6, TK25E, TK25, TK2