FGD3N60UNDF

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

TO-252-3

取り付けスタイル：

SMD / SMT

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

600 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2.4 V

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

25℃での連続コレクタ電流：

6 A

Pd-消費電力：

60 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

FGD3N60UNDF

包装：

リール

連続コレクタ電流IcMax：

3 A

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

ゲートエミッタリーク電流：

10 uA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

IGBT

単位重量：

0.009184 oz

Tags

FGD3N, FGD3, FGD