C2M0280120D

製品属性

属性値

メーカー：

Cree、Inc。

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

SiC

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1.2 kV

Id-連続ドレイン電流：

10 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

280 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.8 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

5.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

62.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

Z-FET

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Wolfspeed / Cree

フォワード相互コンダクタンス-最小：

2.8 S

立ち下がり時間：

9.9 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7.6 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

10.8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.2 ns

単位重量：

1.340411 oz

Tags

C2M0, C2M