FDMS86202ET120

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

Power-56-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

120 V

Id-連続ドレイン電流：

120 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

45 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

187 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

PowerTrenchパワークリップ

包装：

リール

高さ：

0.8 mm

長さ：

3.3 mm

シリーズ：

FDMS86202ET120

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

3.3 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

44 S

立ち下がり時間：

5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

6 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

27 ns

典型的なターンオン遅延時間：

21 ns

単位重量：

0.001993 oz

Tags

FDMS8620, FDMS862, FDMS86, FDMS8, FDMS, FDM