FDMS8050ET30

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

Power-56-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

423 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

650 uOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

204 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

180 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

PowerTrenchパワークリップ

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

6.25 mm

シリーズ：

FDMS8050ET30

幅：

5.1 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

333 S

立ち下がり時間：

16 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

22 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

87 ns

典型的なターンオン遅延時間：

29 ns

単位重量：

0.001993 oz

Tags

FDMS80, FDMS8, FDMS, FDM