ECH8659-TL-W

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ECH-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

55 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

11.8 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.5 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

ECH8659

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

2.2 S

立ち下がり時間：

25 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

25 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

43 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns

Tags

ECH8659-T, ECH8659, ECH865, ECH86, ECH8, ECH