SSM3J356R,LF

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23F-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

400 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

800 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4 V

Qg-ゲートチャージ：

8.3 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.9 mm

長さ：

2.9 mm

シリーズ：

SSM3J356

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

1.3 mm

ブランド：

東芝

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4.7 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

48 ns

典型的なターンオン遅延時間：

29 ns

単位重量：

0.000282 oz

Tags

SSM3J35, SSM3J3, SSM3J, SSM3, SSM