2N5822

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

70 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.75 V

最大DCコレクタ電流：

750 mA

ゲイン帯域幅積fT：

120 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

バルク

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

750 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

-

Pd-消費電力：

625 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

2N5822 PBFREE

単位重量：

0.007266 oz

Tags

2N582, 2N58, 2N5