FDS86267P

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

150 V

Id-連続ドレイン電流：

2.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

255 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

16 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

PowerTrench

包装：

リール

高さ：

1.75 mm

長さ：

4.9 mm

シリーズ：

FDS86267P

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

3.9 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6.8 S

立ち下がり時間：

5.7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

2.5 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

17 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9.7 ns

単位重量：

0.004586 oz

Tags

FDS862, FDS86, FDS8, FDS