NVMFD5C470NLT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

36 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

9.2 mOhms, 9.2 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

9 nC, 9 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

24 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

シリーズ：

NVMFD5C470NL

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

30 S, 30 S

立ち下がり時間：

36 ns, 36 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

55 ns, 55 ns

ファクトリーパックの数量：

1500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

20 ns, 20 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9.3 ns, 9.3 ns

Tags

NVMFD5C470, NVMFD5C47, NVMFD5C4, NVMFD5C, NVMFD, NVMF, NVM