CGHV40100F

製品属性

属性値

メーカー：

Cree、Inc。

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

HEMT

テクノロジー：

GaN

利得：

11 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

150 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

2.7 V

Id-連続ドレイン電流：

8.7 A

出力電力：

100 W

最大ドレインゲート電圧：

-

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

-

取り付けスタイル：

スクリューマウント

パッケージ/ケース：

440193

包装：

チューブ

応用：

-

構成：

独身

高さ：

4.19 mm

長さ：

20.45 mm

動作周波数：

500 MHz to 2.5 GHz

動作温度範囲：

- 40 C to + 150 C

製品：

GaN HEMT

幅：

5.97 mm

ブランド：

Wolfspeed / Cree

フォワード相互コンダクタンス-最小：

-

ゲート-ソースカットオフ電圧：

- 10 V to + 2 V

クラス：

-

開発キット：

CGHV40100-TB

立ち下がり時間：

-

NF-雑音指数：

-

P1dB-圧縮ポイント：

-

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

-

立ち上がり時間：

-

ファクトリーパックの数量：

100

サブカテゴリ：

トランジスタ

典型的なターンオフ遅延時間：

-

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.3 V

Tags

CGHV40100F, CGHV4010, CGHV401, CGHV4, CGHV, CGH