CSD87384MT

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PTAB-5

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

30 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6.4 mOhms, 1.95 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.9 V, 1.7 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

9.2 nC, 40 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

8 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

0.45 mm

長さ：

5 mm

シリーズ：

CSD87384M

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

タイプ：

同期バックNexFETパワーステージ

幅：

3.5 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

67 S, 240 S

立ち下がり時間：

7.6 ns, 8.2 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

56 ns, 49 ns

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

14 ns, 29 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8.7 ns, 17.5 ns

Tags

CSD87384, CSD8738, CSD873, CSD87, CSD8, CSD