FDG6321C

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-323-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

25 V

Id-連続ドレイン電流：

500 mA, 410 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

450 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

300 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

2 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

FDG6321C

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

タイプ：

FET

幅：

1.25 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1.45 S, 0.9 S

立ち下がり時間：

8.5 ns, 8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8.5 ns, 8 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

17 ns, 55 ns

典型的なターンオン遅延時間：

3 ns, 7 ns

パーツ番号エイリアス：

FDG6321C_NL

単位重量：

0.000988 oz

Tags

FDG6321C, FDG6321, FDG632, FDG63, FDG6, FDG