STP165N10F4

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

120 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

5.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4 V

Qg-ゲートチャージ：

192 nC

Pd-消費電力：

315 W

構成：

独身

商標名：

STripFET

シリーズ：

STP165N10F4

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

NチャネルSTRipFETDeepGATEパワーMOSFET

ブランド：

STMicroelectronics

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.011640 oz

Tags

STP16, STP1, STP