SIZ902DT-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerPAIR-6x5-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

16 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

12 mOhms, 6.4 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

21 nC, 65 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

29 W, 66 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

シリーズ：

SIZ

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

47 S, 63 S

立ち下がり時間：

10 ns,10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

12 ns, 20 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

20 ns, 35 ns

典型的なターンオン遅延時間：

15 ns, 30 ns

パーツ番号エイリアス：

SIZ902DT-GE3

単位重量：

0.007760 oz

Tags

SIZ90, SIZ9, SiZ