UJ3D1210TS

UJ3D1210TS
Mfr. #:
UJ3D1210TS
メーカー:
UnitedSiC
説明:
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A SiC SCHOTTKY DIODE G3
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
UJ3D1210TS データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:
UJ3D1210TS 詳しくは
製品属性
属性値
メーカー:
UnitedSiC
製品カテゴリ:
ショットキーダイオードと整流器
JBoss:
Y
製品:
ショットキーシリコンカーバイドダイオード
取り付けスタイル:
スルーホール
パッケージ/ケース:
TO-220-2
場合-順電流:
10 A
Vrrm-繰り返し逆電圧:
1200 V
Vf-順方向電圧:
1.4 V
Ifsm-順方向サージ電流:
120 A
構成:
独身
テクノロジー:
SiC
Ir-逆電流:
100 uA
最低動作温度:
- 55 C
最高作動温度:
+ 175 C
シリーズ:
UJ3D
資格:
AEC-Q101
包装:
チューブ
ブランド:
UnitedSiC
Pd-消費電力:
220.6 W
製品タイプ:
ショットキーダイオードと整流器
ファクトリーパックの数量:
50
サブカテゴリ:
ダイオードと整流器
Vr-逆電圧:
1200 V
Tags
UJ3D121, UJ3D1, UJ3D, UJ3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
SiC Cascodes
UnitedSiC SiC Cascodes are the 3rd generation gate drive SiC devices that are a combination of high-performance SiC JFETs and cascode optimized MOSFETs. These SiC Cascodes are the enhancement-mode power switches formed by a high-voltage SiC depletion-mode JFET and a low-voltage silicon MOSFET connected in series. The SiC Cascodes offer the best performance for the intrinsic diode forward drop (VSD) and recovery charge (QRR). These devices deliver ultra-low gate charge but also the best reverse recovery characteristics of any devices of similar ratings. 
UJ3D Series 650V & 1200V SiC Schottky Diodes
UnitedSiC UJ3D Series 650V and 1200V (Silicon-Carbide) Schottky Diodes are designed to take advantage of of SiC's superior physical characteristics over standard silicon, with 4 times better dynamic characteristics and 15% less forward voltage (VF).  With zero reverse recovery charge and a high maximum junction temperature of 175°C, these devices are ideally suited for high frequency and high efficiency power systems with minimum cooling requirements. 
画像 モデル 説明
LSIC1MO170E1000

Mfr.#: LSIC1MO170E1000

OMO.#: OMO-LSIC1MO170E1000

MOSFET 1700V 1000mOhm SiC MOSFET
LSIC1MO120E0160

Mfr.#: LSIC1MO120E0160

OMO.#: OMO-LSIC1MO120E0160

MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
LSIC1MO120E0120

Mfr.#: LSIC1MO120E0120

OMO.#: OMO-LSIC1MO120E0120

MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet
STPSC10H12D

Mfr.#: STPSC10H12D

OMO.#: OMO-STPSC10H12D

Schottky Diodes & Rectifiers 1200V Power Schottky Silicon Carbide diode
MSC010SDA120K

Mfr.#: MSC010SDA120K

OMO.#: OMO-MSC010SDA120K

Schottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 10 A SiC SBD
C2M1000170J

Mfr.#: C2M1000170J

OMO.#: OMO-C2M1000170J

MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
LSIC1MO120E0080

Mfr.#: LSIC1MO120E0080

OMO.#: OMO-LSIC1MO120E0080

MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET
LSIC1MO120E0120

Mfr.#: LSIC1MO120E0120

OMO.#: OMO-LSIC1MO120E0120-LITTELFUSE

1200V/120mohm SiC MOSFET TO-247-3L
LSIC1MO120E0160

Mfr.#: LSIC1MO120E0160

OMO.#: OMO-LSIC1MO120E0160-LITTELFUSE

1200V/160mohm SiC MOSFET TO-247-3L
LSIC1MO170E1000

Mfr.#: LSIC1MO170E1000

OMO.#: OMO-LSIC1MO170E1000-LITTELFUSE

1700V/1000mohm SiC MOSFET TO-247-3L
可用性
ストック:
32
注文中:
2015
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参考価格(USD)
単価
小計金額
1
$10.71
$10.71
10
$10.13
$101.30
25
$9.23
$230.75
50
$8.60
$430.00
100
$8.33
$833.00
250
$7.66
$1 915.00
500
$6.98
$3 490.00
2021年から半導体が不足しているため、2021年以前の通常価格以下の価格です。お問い合わせください。
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