QPD1003

製品属性

属性値

メーカー：

カーボ

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

HEMT

テクノロジー：

GaN SiC

利得：

19.9 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

50 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

145 V

Id-連続ドレイン電流：

15 A

出力電力：

540 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 85 C

Pd-消費電力：

370 W

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

RF-565

包装：

トレイ

構成：

独身

動作周波数：

1.2 GHz to 1.4 GHz

動作温度範囲：

- 40 C to + 85 C

シリーズ：

QPD

ブランド：

カーボ

開発キット：

QPD1003PCB401

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

18

サブカテゴリ：

トランジスタ

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 2.8 V

パーツ番号エイリアス：

1131389

Tags

QPD100, QPD10, QPD1, QPD