RTU002P02T106

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-323-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

250 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Pd-消費電力：

200 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.85 mm

長さ：

2.9 mm

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

1.6 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

6 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

35 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9 ns

パーツ番号エイリアス：

RTU002P02

単位重量：

0.000176 oz

Tags

RTU002P02T, RTU002, RTU00, RTU0, RTU