HN1B01FU-GR,LF

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

トランジスタの極性：

NPN、PNP

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V, - 50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

100 mV

最大DCコレクタ電流：

150 mA

ゲイン帯域幅積fT：

150 MHz, 120 MHz

最高作動温度：

+ 125 C

シリーズ：

HN1B01

DC電流ゲインhFEMax：

400

包装：

リール

ブランド：

東芝

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

200 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000265 oz

Tags

HN1B01FU-G, HN1B01FU, HN1B01, HN1B0, HN1B, HN1