CGHV60040D

CGHV60040D
Mfr. #:
CGHV60040D
メーカー:
N/A
説明:
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
CGHV60040D データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:
CGHV60040D 詳しくは
製品属性
属性値
メーカー:
Cree、Inc。
製品カテゴリ:
RFJFETトランジスタ
JBoss:
Y
トランジスタタイプ:
HEMT
テクノロジー:
GaN
利得:
18 dB
トランジスタの極性:
Nチャネル
Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧:
50 V
Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧:
-
Id-連続ドレイン電流:
3.2 A
出力電力:
40 W
最大ドレインゲート電圧:
-
最低動作温度:
-
最高作動温度:
-
Pd-消費電力:
-
取り付けスタイル:
SMD / SMT
パッケージ/ケース:
死ぬ
包装:
ジェルパック
応用:
-
構成:
デュアル
高さ:
100 um
長さ:
1800 um
動作周波数:
6 GHz
動作温度範囲:
-
製品:
GaN HEMT
幅:
820 um
ブランド:
Wolfspeed / Cree
フォワード相互コンダクタンス-最小:
-
ゲート-ソースカットオフ電圧:
-
チャネル数:
2 Channel
クラス:
-
開発キット:
-
立ち下がり時間:
-
NF-雑音指数:
-
P1dB-圧縮ポイント:
-
製品タイプ:
RFJFETトランジスタ
Rds On-ドレイン-ソース抵抗:
-
立ち上がり時間:
-
ファクトリーパックの数量:
10
サブカテゴリ:
トランジスタ
典型的なターンオフ遅延時間:
-
Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧:
-
パーツ番号エイリアス:
CGHV60040D-GP4
Tags
CGHV600, CGHV6, CGHV, CGH
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***i-Key
RF MOSFET HEMT 50V DIE
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
CGHV600 6GHz GaN HEMTs
Wolfspeed CGHV600 6GHz gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) provide superior performance compared with silicon (Si) or gallium arsenide (GaAs) transistors. CGHV600 GaN HEMTs offer higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. These transistors also offer greater power density and wider bandwidths. CGHV600 series devices are ideal for use in a variety of applications, including cellular infrastructure and Class A, AB, and linear amplifiers.Learn More
モデル メーカー 説明 ストック 価格
CGHV60040D-GP4
DISTI # CGHV60040D-GP4-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 50V DIE
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray
550In Stock
  • 10:$42.3360
CGHV60040D
DISTI # 941-CGHV60040D
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
RoHS: Compliant
200
  • 10:$42.3400
画像 モデル 説明
OPA548T

Mfr.#: OPA548T

OMO.#: OMO-OPA548T

Operational Amplifiers - Op Amps Hi-Vltg Hi-Current Exc Output Swing
TLE2022CDR

Mfr.#: TLE2022CDR

OMO.#: OMO-TLE2022CDR

Precision Amplifiers Dual Precision Lo-Pwr Single Supply
SID1132KQ

Mfr.#: SID1132KQ

OMO.#: OMO-SID1132KQ

Gate Drivers 2.5A, 1200V 75kHz 260ns AEC Q-100
AQ4022-01FTG-C

Mfr.#: AQ4022-01FTG-C

OMO.#: OMO-AQ4022-01FTG-C

TVS Diodes / ESD Suppressors 15A 1.3pF AEC-Q101
TPD4E05U06QDQARQ1

Mfr.#: TPD4E05U06QDQARQ1

OMO.#: OMO-TPD4E05U06QDQARQ1

TVS Diodes / ESD Suppressors 4 Ch ESD Protection Solution
CG2H40025F

Mfr.#: CG2H40025F

OMO.#: OMO-CG2H40025F

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
C2012X8R1H104K125AE

Mfr.#: C2012X8R1H104K125AE

OMO.#: OMO-C2012X8R1H104K125AE

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT SOFT 0805 50V 0.1uF X8R 10% T: 1.25mm
OPA548T

Mfr.#: OPA548T

OMO.#: OMO-OPA548T-TEXAS-INSTRUMENTS

Operational Amplifiers - Op Amps Hi-Vltg Hi-Current Exc Output Swing
TLE2022CDR

Mfr.#: TLE2022CDR

OMO.#: OMO-TLE2022CDR-TEXAS-INSTRUMENTS

Operational Amplifiers - Op Amps Dual Precision Lo-Pwr Single Supply
CG2H40025F

Mfr.#: CG2H40025F

OMO.#: OMO-CG2H40025F-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 28V 440166
可用性
ストック:
190
注文中:
2173
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参考価格(USD)
単価
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$39.18
$391.80
2021年から半導体が不足しているため、2021年以前の通常価格以下の価格です。お問い合わせください。
皮切りに
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