CSD25310Q2

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

WSON-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

20 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

23.9 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

550 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

3.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.9 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

0.75 mm

長さ：

2 mm

シリーズ：

CSD25310Q2

トランジスタタイプ：

1 P-Channel Power MOSFET

幅：

2 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

立ち下がり時間：

5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

15 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8 ns

Tags

CSD253, CSD25, CSD2, CSD