NVD5807NT4G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

23 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

20 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

12.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

33 W

構成：

独身

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

シリーズ：

NTD5807N

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

8.1 S

立ち下がり時間：

2 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

20.4 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.139332 oz

Tags

NVD580, NVD58, NVD5, NVD