KSD526O

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

80 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

80 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.45 V

最大DCコレクタ電流：

4 A

ゲイン帯域幅積fT：

8 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

240

高さ：

9.4 mm (Max)

長さ：

10.1 mm (Max)

包装：

バルク

幅：

4.7 mm (Max)

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

連続コレクタ電流：

4 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

40

Pd-消費電力：

30 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

200

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.080072 oz

Tags

KSD526O, KSD526, KSD52, KSD5, KSD