2N3507

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-39-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

80 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

500 mV

最大DCコレクタ電流：

3 A

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

DC電流ゲインhFEMax：

175 at 500 mA, 1 V

包装：

バルク

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

35 at 500 mA, 1 V

Pd-消費電力：

1 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2N3507, 2N350, 2N35, 2N3