KSB1017YTU

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

E

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220F-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 80 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 80 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 1 V

最大DCコレクタ電流：

4 A

ゲイン帯域幅積fT：

9 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

KSB1017

DC電流ゲインhFEMax：

240

高さ：

9.19 mm

長さ：

10.16 mm

包装：

チューブ

幅：

4.7 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

連続コレクタ電流：

- 4 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

40

Pd-消費電力：

25 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.080072 oz

Tags

KSB1017, KSB101, KSB10, KSB1, KSB