FDMS86252

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

Power-56-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

150 V

Id-連続ドレイン電流：

16 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

51 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.8 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

6.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

69 W

構成：

独身

商標名：

PowerTrench

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

6 mm

シリーズ：

FDMS86252

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

15 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.002610 oz

Tags

FDMS8625, FDMS862, FDMS86, FDMS8, FDMS, FDM