CSD87313DMST

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

WSON-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

17 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

5.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

600 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

28 nC, 28 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.7 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

シリーズ：

CSD87313DMS

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

149 S, 149 S

立ち下がり時間：

13 ns, 13 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

27 ns, 27 ns

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

41 ns, 41 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9 ns, 9 ns

Tags

CSD8731, CSD873, CSD87, CSD8, CSD