2N7002BKW,115

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-323-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

310 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.6 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

0.5 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

330 mW (1/3 W)

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

1 N-Channel Trench MOSFET

タイプ：

強化

ブランド：

Nexperia

立ち下がり時間：

7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

6 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

12 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5 ns

単位重量：

0.000176 oz

Tags

2N7002BKW, 2N7002BK, 2N7002B, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7