FCP099N60E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

37 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

87 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

114 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

357 W

チャネルモード：

強化

商標名：

SuperFET II

包装：

チューブ

高さ：

16.3 mm

長さ：

10.67 mm

シリーズ：

FCP099N60E

幅：

4.7 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

31.4 S

立ち下がり時間：

22 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

23 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

92 ns

典型的なターンオン遅延時間：

24 ns

単位重量：

0.063493 oz

Tags

FCP0, FCP