SSM6N61NU,LF

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

UDFN-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

108 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

400 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

3.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.75 mm

長さ：

2 mm

製品：

MOSFET

シリーズ：

SSM6N61

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

タイプ：

シリコンNチャネルMOS

幅：

2 mm

ブランド：

東芝

フォワード相互コンダクタンス-最小：

12 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

45 ns

典型的なターンオン遅延時間：

25 ns

Tags

SSM6N6, SSM6N, SSM6, SSM