2SA2125-TD-E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-89-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 125 mV, - 250 mV

最大DCコレクタ電流：

- 6 A

ゲイン帯域幅積fT：

390 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SA2125

DC電流ゲインhFEMax：

560

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 3 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200

Pd-消費電力：

3.5 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.001816 oz

Tags

2SA2125, 2SA212, 2SA21, 2SA2, 2SA