MRFE6VS25LR5

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

140 V

利得：

25.9 dB

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-360-2

包装：

リール

構成：

独身

動作周波数：

1.8 MHz to 2000 MHz

シリーズ：

MRFE6VS25N

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネルモード：

強化

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

パーツ番号エイリアス：

935320096178

単位重量：

0.103628 oz

Tags

MRFE6VS, MRFE6V, MRFE6, MRFE, MRF